中国研发新型存储芯片：性能快了100万倍

　　相比三星、东芝、美光等公司，中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年，不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术，前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存，性能是普通存储芯片的1000倍，现在更厉害的来了——复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，他们使用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更长，刷新时间是内存的156倍，也就是说具备更强的耐用性。

　　DIY玩家应该知道内存、闪存各自的优缺点——内存速度极快，但是断电就会损失数据，而且成本昂贵，闪存的延迟比内存高一个量级，但好处就是能保存数据，同时成本更低，所以业界一直在寻找能同时具备内存、闪存优点的存储芯片，也就是能保存数据的同时具备极快的速度。

　　英特尔研发的3D XPoint闪存就有类似的特性， 号称性能是闪存的1000倍，耐用性是闪存的1000倍，前面新闻提到的PCM相变存储也是类似的技术，能够在断电时保存数据同时性能类似内存，只不过这些新型存储芯片现在还没有达到内存、闪存这样成熟的地步。

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