第三代半导体将催生数万亿美元

几天前，第三届中欧第三代半导体峰会论坛在深圳举行。与会专家和学者认为，第三代半导体具有巨大的未来应用潜力，并具有突破性的突破力。这是半导体和下游电力电子与通信行业新一轮变革中的突破。

2018年，美国和欧盟继续增加对第三代半导体领域的研发支持。国际制造商积极务实地推广了商业化的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率电子器件。性能不断提高，应用范围逐渐扩大。受益于半导体产业宏观政策的积极因素，资本市场的追求，地方政府的提升以及企业的广泛进入，中国的第三代半导体产业稳步发展。但是，国外的材料指标与设备性能和先进水平之间还存在一定差距，对本土化的需求迫在眉睫。

“从模块安全性或中国经济发展的角度来看，第三代半导体具有巨大的发展空间和良好的市场前景，催生了超过一万亿元的潜在市场。”深圳市科学技术协会党组书记林翔认为，第三代半导体是全球半导体产业技术创新和产业发展的热点，为信息，能源，交通运输等战略性新兴产业的发展提供重要支撑。近年来，随着一系列技术创新以及材料，器件，工艺和应用领域的突破，第三代半导体已经进入了从研发到工业的转折点。

“只要有电，就会使用半导体。”国家新能源汽车技术创新中心汽车调节半导体业务负责人温宇指出，发展新能源汽车是改变中国汽车产业的唯一途径，并且还将制造汽车。新的产业生态链。未来，汽车半导体将成为全球半导体市场的最大推动力。其中，随着技术的发展，碳化硅在新能源汽车领域的应用前景将大大改善。

“碳化硅的各种特性优于硅。该器件具有高频，高效率和高温的优点。将来它将广泛应用于白色家电，轨道交通，医疗设备和其他领域。”深圳基础半导体有限公司总经理余宇表示，相关数据显示，2018年整个碳化硅功率器件的市场容量将达到5亿美元，且市场容量的复合年增长率将超过未来30％。就国内碳化硅的发展现状而言，第三代半导体材料一直紧跟国际前沿，提供衬底和外延工业化。在汽车应用的设计和制造中，中国与国际先进水平之间仍然存在差距。几所大学可以制造器件样品，而三到四家公司可以批量生产二极管。但是，只有基本的半导体才能批量生产碳化硅MOSFET。中国的“核心”为铸造碳化硅。 （《经济日报》记者杨阳腾）