SK海力士4D闪存突破全球首批量产128层

最近，SK海力士宣布已成功开发并批量生产128层堆叠4D NAND闪存芯片。虽然包括SK海力士在内的许多制造商都开发了1Tb QLC闪存，但这是TLC闪存首次达到1Tb。在去年大规模生产96层4D闪存仅仅8个月后，SK海力士还表示正在开发一种176层堆叠的下一代4D NAND闪存。

SK海力士的4D NAND闪存技术于去年10月宣布。 SK海力士使用TLC设计和开发新产品。与之前96层中使用的QLC相比，TLC的性能和处理速度有了不同程度的提高。它还采用垂直蚀刻，多层薄膜颗粒形成，低功率环路设计和其他技术来生产超过3600亿个NAND颗粒和128层1Tb产品的堆叠，不仅达到了业界最高的堆栈数量，而且也超过了三星电子的90大量生产。层NAND。

通过这种架构设计，SK海力士在堆叠96到128个堆叠时将层数增加了三分之一，但制造过程减少了5％，整体投资减少了60％。新的128层4D闪存具有单容量1Tb，业界最高密度的TLC闪存，与96层堆叠相比，每个晶圆的位容量可增加40％。

根据SK海力士的说法，新的闪存可以在1.2 V时实现1400 Mbps的数据传输速率，可用于高性能，低功耗的手机存储和企业级SSD。