国产19nm DRAM内存下半年试产 未来占全球产能8%

　　长江存储主导的国产3D NAND闪存已经开始安装光刻机等生产设备，预计今年下半年就要开始量产。相比之下，DRAM内存芯片因为难度更高，国内投入研发内存芯片的主要是合肥长鑫、兆易创新以及福建晋江/联电。最新消息显示兆易创新、合肥长鑫的国产DRAM将使用19nm工艺，预计下半年试产，项目建成之后产能可达全球DRAM产能的8%。

　　与长江存储的国资背景不同，合肥长鑫主要是合肥市政府、投资基金主推的项目，而且专注DRAM内存领域。与紫光的高调相比，合肥长鑫的DRAM项目一直很低调，低调到连官方网站都没有，但从媒体报道中又时常看到长鑫DRAM的进展，比如去年该公司进口了47.9亿元的设备，外贸额位列安徽省第二位。

　　去年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发19nm工艺的DRAM内存，预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%，而这个项目就是跟合肥长鑫合作的，原来传闻的前日本尔必达社长坂本幸雄投资的香港兆基公司已经出局。

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